Numero di Prodotto del Fabbricante:
R6020ENZ1C9
Product Overview
Produttore:
Rohm Semiconductor
Numero di Parte:
R6020ENZ1C9-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 600V 20A TO247
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 600 V 20A (Tc) 120W (Tc) Through Hole TO-247
Inventario:
13527199
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R6020ENZ1C9 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
ROHM Semiconductor
Imballaggio
-
Serie
-
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
600 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
196mOhm @ 9.5A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 1mA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1400 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
120W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-247
Pacchetto / Custodia
TO-247-3
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
450
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
IXFH42N60P3
FABBRICANTE
IXYS
QUANTITÀ DISPONIBILE
0
NUMERO DI PEZZO
IXFH42N60P3-DG
PREZZO UNITARIO
4.39
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
NUMERO DI PARTE
APT34M60B
FABBRICANTE
Microchip Technology
QUANTITÀ DISPONIBILE
0
NUMERO DI PEZZO
APT34M60B-DG
PREZZO UNITARIO
11.84
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
NUMERO DI PARTE
IPW65R190C7XKSA1
FABBRICANTE
Infineon Technologies
QUANTITÀ DISPONIBILE
220
NUMERO DI PEZZO
IPW65R190C7XKSA1-DG
PREZZO UNITARIO
1.69
TIPO DI SOSTITUZIONE
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NUMERO DI PARTE
TK20N60W,S1VF
FABBRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
QUANTITÀ DISPONIBILE
15
NUMERO DI PEZZO
TK20N60W,S1VF-DG
PREZZO UNITARIO
2.83
TIPO DI SOSTITUZIONE
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STW28N60M2
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STMicroelectronics
QUANTITÀ DISPONIBILE
96
NUMERO DI PEZZO
STW28N60M2-DG
PREZZO UNITARIO
1.56
TIPO DI SOSTITUZIONE
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