Numero di Prodotto del Fabbricante:
RQ3E080BNTB
Product Overview
Produttore:
Rohm Semiconductor
Numero di Parte:
RQ3E080BNTB-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 30V 8A 8HSMT
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 30 V 8A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-HSMT (3.2x3)
Inventario:
40431 Pz Nuovo Originale Disponibile
13527206
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RQ3E080BNTB Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
ROHM Semiconductor
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
30 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
8A (Ta)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
15.2mOhm @ 8A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
2.5V @ 1mA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
14.5 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
660 pF @ 15 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
2W (Ta)
Temperatura
150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
8-HSMT (3.2x3)
Pacchetto / Custodia
8-PowerVDFN
Numero di prodotto di base
RQ3E080
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
RQ3E080BNTBTR
RQ3E080BNTBDKR
RQ3E080BNTBCT
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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