R6015ANZC8
Numero di Prodotto del Fabbricante:

R6015ANZC8

Product Overview

Produttore:

Rohm Semiconductor

Numero di Parte:

R6015ANZC8-DG

Descrizione:

MOSFET N-CH 600V 15A TO3PF
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 600 V 15A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-3PF

Inventario:

13526984
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R6015ANZC8 Specifiche Tecniche

Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
ROHM Semiconductor
Imballaggio
-
Serie
-
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
600 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
15A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
300mOhm @ 7.5A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4.15V @ 1mA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
50 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1700 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
110W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-3PF
Pacchetto / Custodia
TO-3P-3 Full Pack

Scheda dati e documenti

Schede tecniche

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
360

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modelli Alternativi

NUMERO DI PARTE
R6015KNZC17
FABBRICANTE
Rohm Semiconductor
QUANTITÀ DISPONIBILE
299
NUMERO DI PEZZO
R6015KNZC17-DG
PREZZO UNITARIO
2.14
TIPO DI SOSTITUZIONE
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