Numero di Prodotto del Fabbricante:
RCD100N19TL
Product Overview
Produttore:
Rohm Semiconductor
Numero di Parte:
RCD100N19TL-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 190V 10A CPT3
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 190 V 10A (Tc) 850mW (Ta), 20W (Tc) Surface Mount CPT3
Inventario:
1108 Pz Nuovo Originale Disponibile
13526992
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RCD100N19TL Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
ROHM Semiconductor
Imballaggio
Cut Tape (CT)
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
190 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
182mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
2.5V @ 1mA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
52 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
2000 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
850mW (Ta), 20W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
CPT3
Pacchetto / Custodia
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numero di prodotto di base
RCD100
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
2,500
Altri nomi
RCD100N19TLTR
RCD100N19TLDKR
RCD100N19TLCT
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
RD3S100CNTL1
FABBRICANTE
Rohm Semiconductor
QUANTITÀ DISPONIBILE
2256
NUMERO DI PEZZO
RD3S100CNTL1-DG
PREZZO UNITARIO
0.88
TIPO DI SOSTITUZIONE
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Certificazione DIGI
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