Numero di Prodotto del Fabbricante:
R5009ANX
Product Overview
Produttore:
Rohm Semiconductor
Numero di Parte:
R5009ANX-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 500V 9A TO220
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 500 V 9A (Tc) 50W (Tc) Through Hole TO-220FM
Inventario:
12906455
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R5009ANX Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
ROHM Semiconductor
Imballaggio
Bulk
Serie
-
Stato del prodotto
Not For New Designs
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
500 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
720mOhm @ 4.5A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4.5V @ 1mA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
21 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
650 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
50W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-220FM
Pacchetto / Custodia
TO-220-3 Full Pack
Numero di prodotto di base
R5009
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
500
Altri nomi
846-R5009ANX
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
R5009ANX
FABBRICANTE
Rohm Semiconductor
QUANTITÀ DISPONIBILE
0
NUMERO DI PEZZO
R5009ANX-DG
PREZZO UNITARIO
1.23
TIPO DI SOSTITUZIONE
Parametric Equivalent
Certificazione DIGI
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