IMH4AT110
Numero di Prodotto del Fabbricante:

IMH4AT110

Product Overview

Produttore:

Rohm Semiconductor

Numero di Parte:

IMH4AT110-DG

Descrizione:

TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6
Descrizione Dettagliata:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SMT6

Inventario:

RFQ Online
12818165
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IMH4AT110 Specifiche Tecniche

Categoria
Bipolare (BJT), Array di Transistori Bipolari, Pre-Biasati
Produttore
ROHM Semiconductor
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo di transistor
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Corrente - Collettore (Ic) (Max)
100mA
Tensione - Guasto collettore emettitore (max)
50V
Resistore - Base (R1)
10kOhms
Resistenza - Base emettitore (R2)
-
Guadagno di corrente CC (hFE) (min) @ Ic, vce
100 @ 1mA, 5V
Saturazione vce (max) @ ib, ic
300mV @ 1mA, 10mA
Corrente - Taglio collettore (max)
500nA (ICBO)
Frequenza - Transizione
250MHz
Potenza - Max
300mW
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / Custodia
SC-74, SOT-457
Pacchetto dispositivo fornitore
SMT6
Numero di prodotto di base
IMH4

Scheda dati e documenti

Documenti di affidabilità
SMT6 DTRTG Reliability Test
Risorse di progettazione
SMT6 Inner Structure
Schede tecniche
IMH4AT110 SMT6 T110 Taping Spec

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
IMH4AT110DKR
846-IMH4AT110TR
IMH4AT110CT
IMH4AT110TR
IMH4AT110-DG

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Modelli Alternativi

NUMERO DI PARTE
RN1611(TE85L,F)
FABBRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
QUANTITÀ DISPONIBILE
325
NUMERO DI PEZZO
RN1611(TE85L,F)-DG
PREZZO UNITARIO
0.05
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
NUMERO DI PARTE
PIMH9,115
FABBRICANTE
Nexperia USA Inc.
QUANTITÀ DISPONIBILE
3000
NUMERO DI PEZZO
PIMH9,115-DG
PREZZO UNITARIO
0.04
TIPO DI SOSTITUZIONE
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Certificazione DIGI
certification_01
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cr
certification_015
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