Numero di Prodotto del Fabbricante:
EMD30T2R
Product Overview
Produttore:
Rohm Semiconductor
Numero di Parte:
EMD30T2R-DG
Descrizione:
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
Descrizione Dettagliata:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 PNP Pre-Biased, 1 NPN 50V, 30V 200mA 260MHz 150mW Surface Mount EMT6
Inventario:
12818177
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EMD30T2R Specifiche Tecniche
Categoria
Bipolare (BJT), Array di Transistori Bipolari, Pre-Biasati
Produttore
ROHM Semiconductor
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Not For New Designs
Tipo di transistor
1 PNP Pre-Biased, 1 NPN
Corrente - Collettore (Ic) (Max)
200mA
Tensione - Guasto collettore emettitore (max)
50V, 30V
Resistore - Base (R1)
10kOhms, 1kOhms
Resistenza - Base emettitore (R2)
10kOhms
Guadagno di corrente CC (hFE) (min) @ Ic, vce
30 @ 5mA, 5V / 140 @ 100mA, 2V
Saturazione vce (max) @ ib, ic
300mV @ 500µA, 10mA
Corrente - Taglio collettore (max)
500nA
Frequenza - Transizione
260MHz
Potenza - Max
150mW
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / Custodia
SOT-563, SOT-666
Pacchetto dispositivo fornitore
EMT6
Numero di prodotto di base
EMD30
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
8,000
Altri nomi
846-EMD30T2RTR
EMD30T2RCT
EMD30T2R-DG
EMD30T2RTR
EMD30T2RDKR
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificazione DIGI
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