EMH9T2R
Numero di Prodotto del Fabbricante:

EMH9T2R

Product Overview

Produttore:

Rohm Semiconductor

Numero di Parte:

EMH9T2R-DG

Descrizione:

TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6
Descrizione Dettagliata:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6

Inventario:

11410 Pz Nuovo Originale Disponibile
13523716
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EMH9T2R Specifiche Tecniche

Categoria
Bipolare (BJT), Array di Transistori Bipolari, Pre-Biasati
Produttore
ROHM Semiconductor
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo di transistor
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Corrente - Collettore (Ic) (Max)
100mA
Tensione - Guasto collettore emettitore (max)
50V
Resistore - Base (R1)
10kOhms
Resistenza - Base emettitore (R2)
47kOhms
Guadagno di corrente CC (hFE) (min) @ Ic, vce
68 @ 5mA, 5V
Saturazione vce (max) @ ib, ic
300mV @ 250µA, 5mA
Corrente - Taglio collettore (max)
500nA
Frequenza - Transizione
250MHz
Potenza - Max
150mW
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / Custodia
SOT-563, SOT-666
Pacchetto dispositivo fornitore
EMT6
Numero di prodotto di base
EMH9T2

Scheda dati e documenti

Schede tecniche
Documenti di affidabilità
Risorse di progettazione

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
8,000
Altri nomi
EMH9T2RTR
EMH9T2RCT
EMH9T2RDKR
EMH9T2R-ND

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificazione DIGI
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