Numero di Prodotto del Fabbricante:
IMH10AT110
Product Overview
Produttore:
Rohm Semiconductor
Numero di Parte:
IMH10AT110-DG
Descrizione:
TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6
Descrizione Dettagliata:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SMT6
Inventario:
18978 Pz Nuovo Originale Disponibile
13523805
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IMH10AT110 Specifiche Tecniche
Categoria
Bipolare (BJT), Array di Transistori Bipolari, Pre-Biasati
Produttore
ROHM Semiconductor
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Not For New Designs
Tipo di transistor
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Corrente - Collettore (Ic) (Max)
100mA
Tensione - Guasto collettore emettitore (max)
50V
Resistore - Base (R1)
2.2kOhms
Resistenza - Base emettitore (R2)
47kOhms
Guadagno di corrente CC (hFE) (min) @ Ic, vce
80 @ 10mA, 5V
Saturazione vce (max) @ ib, ic
300mV @ 250µA, 5mA
Corrente - Taglio collettore (max)
500nA
Frequenza - Transizione
250MHz
Potenza - Max
300mW
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / Custodia
SC-74, SOT-457
Pacchetto dispositivo fornitore
SMT6
Numero di prodotto di base
IMH10
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
Q3507170BA
IMH10AT110TR
IMH10AT110CT
IMH10AT110DKR
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
RN1605TE85LF
FABBRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
QUANTITÀ DISPONIBILE
73
NUMERO DI PEZZO
RN1605TE85LF-DG
PREZZO UNITARIO
0.04
TIPO DI SOSTITUZIONE
Direct
NUMERO DI PARTE
PIMH9,115
FABBRICANTE
Nexperia USA Inc.
QUANTITÀ DISPONIBILE
3000
NUMERO DI PEZZO
PIMH9,115-DG
PREZZO UNITARIO
0.04
TIPO DI SOSTITUZIONE
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Certificazione DIGI
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