Numero di Prodotto del Fabbricante:
DTD713ZMT2L
Product Overview
Produttore:
Rohm Semiconductor
Numero di Parte:
DTD713ZMT2L-DG
Descrizione:
TRANS PREBIAS NPN 30V 0.2A VMT3
Descrizione Dettagliata:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 30 V 200 mA 260 MHz 150 mW Surface Mount VMT3
Inventario:
13523921
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DTD713ZMT2L Specifiche Tecniche
Categoria
Bipolare (BJT), Transistor bipolare pre-biasato singolo
Produttore
ROHM Semiconductor
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Not For New Designs
Tipo di transistor
NPN - Pre-Biased
Corrente - Collettore (Ic) (Max)
200 mA
Tensione - Guasto collettore emettitore (max)
30 V
Resistore - Base (R1)
1 kOhms
Resistenza - Base emettitore (R2)
10 kOhms
Guadagno di corrente CC (hFE) (min) @ Ic, vce
140 @ 100mA, 2V
Saturazione vce (max) @ ib, ic
300mV @ 2.5mA, 50mA
Corrente - Taglio collettore (max)
500nA
Frequenza - Transizione
260 MHz
Potenza - Max
150 mW
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / Custodia
SOT-723
Pacchetto dispositivo fornitore
VMT3
Numero di prodotto di base
DTD713
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
8,000
Altri nomi
DTD713ZMT2L-ND
DTD713ZMT2LTR
DTD713ZMT2LCT
DTD713ZMT2LDKR
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Certificazione DIGI
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