Numero di Prodotto del Fabbricante:
DTDG23YPT100
Product Overview
Produttore:
Rohm Semiconductor
Numero di Parte:
DTDG23YPT100-DG
Descrizione:
TRANS PREBIAS NPN 60V 1A MPT3
Descrizione Dettagliata:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 60 V 1 A 80 MHz 1.5 W Surface Mount MPT3
Inventario:
864 Pz Nuovo Originale Disponibile
13523927
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DTDG23YPT100 Specifiche Tecniche
Categoria
Bipolare (BJT), Transistor bipolare pre-biasato singolo
Produttore
ROHM Semiconductor
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo di transistor
NPN - Pre-Biased
Corrente - Collettore (Ic) (Max)
1 A
Tensione - Guasto collettore emettitore (max)
60 V
Resistore - Base (R1)
2.2 kOhms
Resistenza - Base emettitore (R2)
22 kOhms
Guadagno di corrente CC (hFE) (min) @ Ic, vce
300 @ 500mA, 2V
Saturazione vce (max) @ ib, ic
400mV @ 5mA, 500mA
Corrente - Taglio collettore (max)
500nA
Frequenza - Transizione
80 MHz
Potenza - Max
1.5 W
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / Custodia
TO-243AA
Pacchetto dispositivo fornitore
MPT3
Numero di prodotto di base
DTDG23
Scheda dati e documenti
Documenti di affidabilità
Risorse di progettazione
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
1,000
Altri nomi
DTDG23YPT100-ND
DTDG23YPT100CT
DTDG23YPT100DKR
DTDG23YPT100TR
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
Certificazione DIGI
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