DTD114ESTP
Numero di Prodotto del Fabbricante:

DTD114ESTP

Product Overview

Produttore:

Rohm Semiconductor

Numero di Parte:

DTD114ESTP-DG

Descrizione:

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SPT
Descrizione Dettagliata:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 500 mA 200 MHz 300 mW Through Hole SPT

Inventario:

RFQ Online
13523278
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DTD114ESTP Specifiche Tecniche

Categoria
Bipolare (BJT), Transistor bipolare pre-biasato singolo
Produttore
ROHM Semiconductor
Imballaggio
-
Serie
-
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo di transistor
NPN - Pre-Biased
Corrente - Collettore (Ic) (Max)
500 mA
Tensione - Guasto collettore emettitore (max)
50 V
Resistore - Base (R1)
10 kOhms
Resistenza - Base emettitore (R2)
10 kOhms
Guadagno di corrente CC (hFE) (min) @ Ic, vce
56 @ 50mA, 5V
Saturazione vce (max) @ ib, ic
300mV @ 2.5mA, 50mA
Corrente - Taglio collettore (max)
500nA
Frequenza - Transizione
200 MHz
Potenza - Max
300 mW
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto / Custodia
SC-72 Formed Leads
Pacchetto dispositivo fornitore
SPT
Numero di prodotto di base
DTD114

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
5,000

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Certificazione DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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