Numero di Prodotto del Fabbricante:
DTD123YCT116
Product Overview
Produttore:
Rohm Semiconductor
Numero di Parte:
DTD123YCT116-DG
Descrizione:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3
Descrizione Dettagliata:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 500 mA 200 MHz 200 mW Surface Mount SST3
Inventario:
10649 Pz Nuovo Originale Disponibile
13523292
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DTD123YCT116 Specifiche Tecniche
Categoria
Bipolare (BJT), Transistor bipolare pre-biasato singolo
Produttore
ROHM Semiconductor
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo di transistor
NPN - Pre-Biased
Corrente - Collettore (Ic) (Max)
500 mA
Tensione - Guasto collettore emettitore (max)
50 V
Resistore - Base (R1)
2.2 kOhms
Resistenza - Base emettitore (R2)
10 kOhms
Guadagno di corrente CC (hFE) (min) @ Ic, vce
56 @ 50mA, 5V
Saturazione vce (max) @ ib, ic
300mV @ 2.5mA, 50mA
Corrente - Taglio collettore (max)
500nA
Frequenza - Transizione
200 MHz
Potenza - Max
200 mW
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / Custodia
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo fornitore
SST3
Numero di prodotto di base
DTD123
Scheda dati e documenti
Documenti di affidabilità
Risorse di progettazione
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
DTD123YCMGT116
DTD123YCT116DKR
DTD123YCT116CT
DTD123YCT116TR
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Certificazione DIGI
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