PJMF900N65E1_T0_00001
Numero di Prodotto del Fabbricante:

PJMF900N65E1_T0_00001

Product Overview

Produttore:

Panjit International Inc.

Numero di Parte:

PJMF900N65E1_T0_00001-DG

Descrizione:

650V/ 900MOHM SUPER JUNCTION EAS
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 650 V 4.7A (Tc) 25.5W (Tc) Through Hole ITO-220AB-F

Inventario:

1965 Pz Nuovo Originale Disponibile
12972289
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PJMF900N65E1_T0_00001 Specifiche Tecniche

Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
PANJIT
Imballaggio
Tube
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
650 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
4.7A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
900mOhm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
382 pF @ 400 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
25.5W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
ITO-220AB-F
Pacchetto / Custodia
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Numero di prodotto di base
PJMF900

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
2,000
Altri nomi
3757-PJMF900N65E1_T0_00001TR
3757-PJMF900N65E1_T0_00001DKRINACTIVE
3757-PJMF900N65E1_T0_00001CT
3757-PJMF900N65E1_T0_00001TR-DG
3757-PJMF900N65E1_T0_00001
3757-PJMF900N65E1_T0_00001CT-DG
3757-PJMF900N65E1_T0_00001CTINACTIVE

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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