PJW4N06A_R2_00001

Numero di Prodotto del Fabbricante:

PJW4N06A_R2_00001

Product Overview

Produttore:

Panjit International Inc.

Numero di Parte:

PJW4N06A_R2_00001-DG

Descrizione:

60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

Descrizione Dettagliata:

N-Channel 60 V 4A (Ta) 3.1W (Ta) Surface Mount SOT-223

Inventario:

5940 Pz Nuovo Originale Disponibile

12972302

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PJW4N06A_R2_00001 Specifiche Tecniche

Categoria

FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET

Produttore

PANJIT

Imballaggio

Tape & Reel (TR)

Serie

-

Stato del prodotto

Active

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione da drain a source (Vdss)

60 V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C

4A (Ta)

Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

100mOhm @ 3A, 10V

vgs(th) (massimo) @ id

2.5V @ 250µA

Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs

5.1 nC @ 4.5 V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds

509 pF @ 15 V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

3.1W (Ta)

Temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-223

Pacchetto / Custodia

TO-261-4, TO-261AA

Numero di prodotto di base

PJW4N06A

Scheda dati e documenti

Schede tecniche

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard

2,500

Altri nomi

3757-PJW4N06A_R2_00001CT

3757-PJW4N06A_R2_00001TR

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS

ROHS3 Compliant

Livello di sensibilità all'umidità (MSL)

1 (Unlimited)

Stato REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificazione DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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