Numero di Prodotto del Fabbricante:
RFG60P05E
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
RFG60P05E-DG
Descrizione:
MOSFET P-CH 50V 60A TO247-3
Descrizione Dettagliata:
P-Channel 50 V 60A (Tc) 215W (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventario:
12857190
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RFG60P05E Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
-
Serie
-
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
50 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
30mOhm @ 60A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
450 nC @ 20 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
7200 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
215W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-247-3
Pacchetto / Custodia
TO-247-3
Numero di prodotto di base
RFG60
Scheda dati e documenti
Scheda Dati HTML
Schede dati
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
30
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
RoHS non-compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
IXTH76P10T
FABBRICANTE
IXYS
QUANTITÀ DISPONIBILE
3540
NUMERO DI PEZZO
IXTH76P10T-DG
PREZZO UNITARIO
3.86
TIPO DI SOSTITUZIONE
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Certificazione DIGI
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