Numero di Prodotto del Fabbricante:
NTH027N65S3F-F155
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
NTH027N65S3F-F155-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 650 V 75A (Tc) 595W (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventario:
254 Pz Nuovo Originale Disponibile
12857192
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NTH027N65S3F-F155 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
Tube
Serie
FRFET®, SuperFET® II
Stato del prodotto
Not For New Designs
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
650 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
75A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
27.4mOhm @ 35A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
5V @ 7.5mA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
259 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
7690 pF @ 400 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
595W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-247-3
Pacchetto / Custodia
TO-247-3
Numero di prodotto di base
NTH027
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
30
Altri nomi
ONSONSNTH027N65S3F-F155
NTH027N65S3F-F155OS
2156-NTH027N65S3F-F155-OS
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
Not Applicable
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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