NVD5863NLT4G
Numero di Prodotto del Fabbricante:

NVD5863NLT4G

Product Overview

Produttore:

onsemi

Numero di Parte:

NVD5863NLT4G-DG

Descrizione:

MOSFET N-CH 60V 14.9A DPAK
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 60 V 14.9A (Ta), 82A (Tc) 3.1W (Ta), 96W (Tc) Surface Mount DPAK

Inventario:

12841372
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA

NVD5863NLT4G Specifiche Tecniche

Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
-
Serie
-
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
60 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
14.9A (Ta), 82A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
7.1mOhm @ 41A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
3V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
70 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
3850 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
3.1W (Ta), 96W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automotive
Qualificazione
AEC-Q101
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
DPAK
Pacchetto / Custodia
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numero di prodotto di base
NVD586

Scheda dati e documenti

Schede tecniche
Scheda Dati HTML
Schede dati

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
2,500
Altri nomi
NVD5863NLT4G-VF01CT
NVD5863NLT4G-VF01TR
NVD5863NLT4G-VF01DKR-DG
ONSONSNVD5863NLT4G
NVD5863NLT4G-DG
NVD5863NLT4GOSCT
NVD5863NLT4G-VF01DKR
NVD5863NLT4G-VF01
NVD5863NLT4G-VF01TR-DG
2156-NVD5863NLT4G
NVD5863NLT4GOSTR
NVD5863NLT4G-VF01CT-DG
NVD5863NLT4GOSDKR

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modelli Alternativi

NUMERO DI PARTE
IPD90N06S4L06ATMA2
FABBRICANTE
Infineon Technologies
QUANTITÀ DISPONIBILE
3430
NUMERO DI PEZZO
IPD90N06S4L06ATMA2-DG
PREZZO UNITARIO
0.52
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
NUMERO DI PARTE
NVD5C668NLT4G
FABBRICANTE
onsemi
QUANTITÀ DISPONIBILE
0
NUMERO DI PEZZO
NVD5C668NLT4G-DG
PREZZO UNITARIO
0.75
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
NUMERO DI PARTE
NVD5C648NLT4G
FABBRICANTE
onsemi
QUANTITÀ DISPONIBILE
0
NUMERO DI PEZZO
NVD5C648NLT4G-DG
PREZZO UNITARIO
1.14
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
NUMERO DI PARTE
IRFR1010ZTRPBF
FABBRICANTE
Infineon Technologies
QUANTITÀ DISPONIBILE
5755
NUMERO DI PEZZO
IRFR1010ZTRPBF-DG
PREZZO UNITARIO
0.61
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
Certificazione DIGI
Prodotti correlati
panasonic

2SK122800L

MOSFET N-CH 50V 50MA MINI3-G1

onsemi

NDPL070N10BG

MOSFET N-CH 100V 70A TO220-3

onsemi

NVTFWS002N04CLTAG

MOSFET N-CH 40V 28A/142A 8WDFN

onsemi

NTMJS1D0N04CTWG

MOSFET N-CH 40V 46A/300A 8LFPAK