Numero di Prodotto del Fabbricante:
NVD5C648NLT4G
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
NVD5C648NLT4G-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 60V 18A/89A DPAK
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 60 V 18A (Ta), 89A (Tc) 3.1W (Ta), 72W (Tc) Surface Mount DPAK
Inventario:
12857586
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NVD5C648NLT4G Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
60 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
18A (Ta), 89A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.1mOhm @ 45A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
2.1V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
39 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
2900 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
3.1W (Ta), 72W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automotive
Qualificazione
AEC-Q101
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
DPAK
Pacchetto / Custodia
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numero di prodotto di base
NVD5C648
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
2,500
Altri nomi
NVD5C648NLT4G-DG
488-NVD5C648NLT4GCT
488-NVD5C648NLT4GTR
488-NVD5C648NLT4GDKR
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
IPD90N06S4L05ATMA2
FABBRICANTE
Infineon Technologies
QUANTITÀ DISPONIBILE
2415
NUMERO DI PEZZO
IPD90N06S4L05ATMA2-DG
PREZZO UNITARIO
0.62
TIPO DI SOSTITUZIONE
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