Numero di Prodotto del Fabbricante:
NVB25P06T4G
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
NVB25P06T4G-DG
Descrizione:
MOSFET P-CH 60V 27.5A D2PAK
Descrizione Dettagliata:
P-Channel 60 V 27.5A (Ta) 120W (Tj) Surface Mount D2PAK
Inventario:
12856955
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NVB25P06T4G Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
-
Serie
-
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
60 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
27.5A (Ta)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
82mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
50 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±15V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1680 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
120W (Tj)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automotive
Qualificazione
AEC-Q101
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
D2PAK
Pacchetto / Custodia
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numero di prodotto di base
NVB25P
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
800
Altri nomi
NVB25P06T4G-DG
NVB25P06T4GOSDKR
NVB25P06T4GOSCT
NVB25P06T4GOSTR
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
NTB25P06T4G
FABBRICANTE
onsemi
QUANTITÀ DISPONIBILE
0
NUMERO DI PEZZO
NTB25P06T4G-DG
PREZZO UNITARIO
0.92
TIPO DI SOSTITUZIONE
Parametric Equivalent
NUMERO DI PARTE
FQB27P06TM
FABBRICANTE
onsemi
QUANTITÀ DISPONIBILE
14
NUMERO DI PEZZO
FQB27P06TM-DG
PREZZO UNITARIO
0.81
TIPO DI SOSTITUZIONE
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