Numero di Prodotto del Fabbricante:
NTB25P06T4G
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
NTB25P06T4G-DG
Descrizione:
MOSFET P-CH 60V 27.5A D2PAK
Descrizione Dettagliata:
P-Channel 60 V 27.5A (Ta) 120W (Tj) Surface Mount D2PAK
Inventario:
12844720
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NTB25P06T4G Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
60 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
27.5A (Ta)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
82mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
50 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±15V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1680 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
120W (Tj)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
D2PAK
Pacchetto / Custodia
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numero di prodotto di base
NTB25
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
800
Altri nomi
NTB25P06T4GOS
NTB25P06T4GOSTR
NTB25P06T4GOSCT
NTB25P06T4GOS-DG
ONSONSNTB25P06T4G
2156-NTB25P06T4G-OS
NTB25P06T4GOSDKR
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
IRF5210STRLPBF
FABBRICANTE
Infineon Technologies
QUANTITÀ DISPONIBILE
7933
NUMERO DI PEZZO
IRF5210STRLPBF-DG
PREZZO UNITARIO
1.26
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
NUMERO DI PARTE
RSJ250P10TL
FABBRICANTE
Rohm Semiconductor
QUANTITÀ DISPONIBILE
1434
NUMERO DI PEZZO
RSJ250P10TL-DG
PREZZO UNITARIO
1.21
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
Certificazione DIGI
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