Numero di Prodotto del Fabbricante:
NTHL020N090SC1
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
NTHL020N090SC1-DG
Descrizione:
SICFET N-CH 900V 118A TO247-3
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 900 V 118A (Tc) 503W (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventario:
365 Pz Nuovo Originale Disponibile
13275960
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NTHL020N090SC1 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
Tube
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
SiCFET (Silicon Carbide)
Tensione da drain a source (Vdss)
900 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
118A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
28mOhm @ 60A, 15V
vgs(th) (massimo) @ id
4.3V @ 20mA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
196 nC @ 15 V
Vgs (massimo)
+19V, -10V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
4415 pF @ 450 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
503W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-247-3
Pacchetto / Custodia
TO-247-3
Numero di prodotto di base
NTHL020
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
30
Altri nomi
2832-NTHL020N090SC1
2156-NTHL020N090SC1
488-NTHL020N090SC1
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
Not Applicable
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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