Numero di Prodotto del Fabbricante:
NTBG020N120SC1
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
NTBG020N120SC1-DG
Descrizione:
SICFET N-CH 1200V 8.6A/98A D2PAK
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 1200 V 8.6A (Ta), 98A (Tc) 3.7W (Ta), 468W (Tc) Surface Mount D2PAK-7
Inventario:
756 Pz Nuovo Originale Disponibile
13275961
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NTBG020N120SC1 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
SiCFET (Silicon Carbide)
Tensione da drain a source (Vdss)
1200 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
8.6A (Ta), 98A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
28mOhm @ 60A, 20V
vgs(th) (massimo) @ id
4.3V @ 20mA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
220 nC @ 20 V
Vgs (massimo)
+25V, -15V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
2943 pF @ 800 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
3.7W (Ta), 468W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
D2PAK-7
Pacchetto / Custodia
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Numero di prodotto di base
NTBG020
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
800
Altri nomi
488-NTBG020N120SC1CT
488-NTBG020N120SC1DKR
488-NTBG020N120SC1TR
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
G3R30MT12J
FABBRICANTE
GeneSiC Semiconductor
QUANTITÀ DISPONIBILE
68
NUMERO DI PEZZO
G3R30MT12J-DG
PREZZO UNITARIO
20.78
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
NUMERO DI PARTE
NVBG020N120SC1
FABBRICANTE
onsemi
QUANTITÀ DISPONIBILE
1578
NUMERO DI PEZZO
NVBG020N120SC1-DG
PREZZO UNITARIO
61.25
TIPO DI SOSTITUZIONE
Parametric Equivalent
Certificazione DIGI
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