Numero di Prodotto del Fabbricante:
NTF6P02T3G
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
NTF6P02T3G-DG
Descrizione:
MOSFET P-CH 20V 10A SOT223
Descrizione Dettagliata:
P-Channel 20 V 10A (Ta) 8.3W (Ta) Surface Mount SOT-223 (TO-261)
Inventario:
45559 Pz Nuovo Originale Disponibile
12856813
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NTF6P02T3G Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
20 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
10A (Ta)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
50mOhm @ 6A, 4.5V
vgs(th) (massimo) @ id
1V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 4.5 V
Vgs (massimo)
±8V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1200 pF @ 16 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
8.3W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
SOT-223 (TO-261)
Pacchetto / Custodia
TO-261-4, TO-261AA
Numero di prodotto di base
NTF6P02
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
4,000
Altri nomi
NTF6P02T3GOS
NTF6P02T3GOS-DG
NTF6P02T3GOSCT
NTF6P02T3GOSTR
NTF6P02T3GOSDKR
=NTF6P02T3GOSCT-DG
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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