Numero di Prodotto del Fabbricante:
SSU1N50BTU
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
SSU1N50BTU-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 520V 1.3A IPAK
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 520 V 1.3A (Tc) 2.5W (Ta), 26W (Tc) Through Hole I-PAK
Inventario:
12856822
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SSU1N50BTU Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
-
Serie
-
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
520 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
1.3A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.3Ohm @ 650mA, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
340 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
2.5W (Ta), 26W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
I-PAK
Pacchetto / Custodia
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Numero di prodotto di base
SSU1N50
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
70
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
Not Applicable
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
STD2HNK60Z-1
FABBRICANTE
STMicroelectronics
QUANTITÀ DISPONIBILE
3054
NUMERO DI PEZZO
STD2HNK60Z-1-DG
PREZZO UNITARIO
0.51
TIPO DI SOSTITUZIONE
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Certificazione DIGI
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