SSU1N50BTU
Numero di Prodotto del Fabbricante:

SSU1N50BTU

Product Overview

Produttore:

onsemi

Numero di Parte:

SSU1N50BTU-DG

Descrizione:

MOSFET N-CH 520V 1.3A IPAK
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 520 V 1.3A (Tc) 2.5W (Ta), 26W (Tc) Through Hole I-PAK

Inventario:

12856822
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SSU1N50BTU Specifiche Tecniche

Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
-
Serie
-
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
520 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
1.3A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.3Ohm @ 650mA, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
340 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
2.5W (Ta), 26W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
I-PAK
Pacchetto / Custodia
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Numero di prodotto di base
SSU1N50

Scheda dati e documenti

Schede tecniche
Scheda Dati HTML
Schede dati

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
70

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
Not Applicable
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modelli Alternativi

NUMERO DI PARTE
STD2HNK60Z-1
FABBRICANTE
STMicroelectronics
QUANTITÀ DISPONIBILE
3054
NUMERO DI PEZZO
STD2HNK60Z-1-DG
PREZZO UNITARIO
0.51
TIPO DI SOSTITUZIONE
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