Numero di Prodotto del Fabbricante:
NTD4815N-35G
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
NTD4815N-35G-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 30V 6.9A/35A IPAK
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 30 V 6.9A (Ta), 35A (Tc) 1.26W (Ta), 32.6W (Tc) Through Hole I-Pak
Inventario:
11 Pz Nuovo Originale Disponibile
12860333
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NTD4815N-35G Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
Tube
Serie
-
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
30 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
6.9A (Ta), 35A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4.5V, 11.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
15mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
2.5V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
14.1 nC @ 11.5 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
770 pF @ 12 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
1.26W (Ta), 32.6W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
I-PAK
Pacchetto / Custodia
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Numero di prodotto di base
NTD4815
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
75
Altri nomi
NTD4815N-35GOS
2156-NTD4815N-35G-OS
2832-NTD4815N-35G
NTD4815N-35G-DG
ONSONSNTD4815N-35G
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
DMN3016LK3-13
FABBRICANTE
Diodes Incorporated
QUANTITÀ DISPONIBILE
11562
NUMERO DI PEZZO
DMN3016LK3-13-DG
PREZZO UNITARIO
0.15
TIPO DI SOSTITUZIONE
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Certificazione DIGI
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