Numero di Prodotto del Fabbricante:
DMN3016LK3-13
Product Overview
Produttore:
Diodes Incorporated
Numero di Parte:
DMN3016LK3-13-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 30V 12.4A TO252
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 30 V 12.4A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount TO-252-3
Inventario:
11562 Pz Nuovo Originale Disponibile
12891923
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DMN3016LK3-13 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Diodes Incorporated
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
30 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
12.4A (Ta)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
12mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
2.3V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
25.1 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1415 pF @ 15 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
1.6W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-252-3
Pacchetto / Custodia
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numero di prodotto di base
DMN3016
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
2,500
Altri nomi
DMN3016LK3-13DITR
DMN3016LK3-13DICT
DMN3016LK3-13DIDKR
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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