Numero di Prodotto del Fabbricante:
NTD12N10-1G
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
NTD12N10-1G-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 100V 12A IPAK
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 100 V 12A (Ta) 1.28W (Ta), 56.6W (Tc) Through Hole I-PAK
Inventario:
12842657
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NTD12N10-1G Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
-
Serie
-
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
100 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
12A (Ta)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
165mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
550 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
1.28W (Ta), 56.6W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
I-PAK
Pacchetto / Custodia
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Numero di prodotto di base
NTD12
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
75
Altri nomi
=NTD12N10
2156-NTD12N10-1G-ON
ONSONSNTD12N10-1G
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
PHT6NQ10T,135
FABBRICANTE
Nexperia USA Inc.
QUANTITÀ DISPONIBILE
4949
NUMERO DI PEZZO
PHT6NQ10T,135-DG
PREZZO UNITARIO
0.28
TIPO DI SOSTITUZIONE
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Certificazione DIGI
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