Numero di Prodotto del Fabbricante:
PHT6NQ10T,135
Product Overview
Produttore:
Nexperia USA Inc.
Numero di Parte:
PHT6NQ10T,135-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 100V 3A SOT223
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 100 V 3A (Ta) 1.8W (Ta), 8.3W (Tc) Surface Mount SOT-223
Inventario:
4949 Pz Nuovo Originale Disponibile
12881438
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PHT6NQ10T,135 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Nexperia
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchMOS™
Stato del prodotto
Not For New Designs
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
100 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
3A (Ta)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
90mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 1mA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
21 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
633 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
1.8W (Ta), 8.3W (Tc)
Temperatura
-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
SOT-223
Pacchetto / Custodia
TO-261-4, TO-261AA
Numero di prodotto di base
PHT6NQ10
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
4,000
Altri nomi
PHT6NQ10T135
2166-PHT6NQ10T,135-1727
568-6791-2-DG
568-6791-6-DG
934055876135
5202-PHT6NQ10T,135TR
PHT6NQ10T,135-DG
568-6791-2
PHT6NQ10T /T3
568-6791-1
PHT6NQ10T /T3-DG
1727-5352-6
568-6791-1-DG
568-6791-6
1727-5352-1
1727-5352-2
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
FDT3612
FABBRICANTE
onsemi
QUANTITÀ DISPONIBILE
20218
NUMERO DI PEZZO
FDT3612-DG
PREZZO UNITARIO
0.21
TIPO DI SOSTITUZIONE
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Certificazione DIGI
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