Numero di Prodotto del Fabbricante:
NSVBC143JPDXV6T1G
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
NSVBC143JPDXV6T1G-DG
Descrizione:
SS SOT563 RSTR XSTR TR
Descrizione Dettagliata:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 357mW Surface Mount SOT-563
Inventario:
13003628
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NSVBC143JPDXV6T1G Specifiche Tecniche
Categoria
Bipolare (BJT), Array di Transistori Bipolari, Pre-Biasati
Produttore
onsemi
Imballaggio
-
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo di transistor
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Corrente - Collettore (Ic) (Max)
100mA
Tensione - Guasto collettore emettitore (max)
50V
Resistore - Base (R1)
2.2kOhms, 47kOhms
Resistenza - Base emettitore (R2)
47kOhms
Guadagno di corrente CC (hFE) (min) @ Ic, vce
80 @ 5mA, 10V
Saturazione vce (max) @ ib, ic
250mV @ 300µA, 10mA
Corrente - Taglio collettore (max)
500nA
Frequenza - Transizione
-
Potenza - Max
357mW
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / Custodia
SOT-563, SOT-666
Pacchetto dispositivo fornitore
SOT-563
Numero di prodotto di base
NSVBC143
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
1
Altri nomi
488-NSVBC143JPDXV6T1GTR
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificazione DIGI
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