Numero di Prodotto del Fabbricante:
EMF4T2R
Product Overview
Produttore:
Rohm Semiconductor
Numero di Parte:
EMF4T2R-DG
Descrizione:
TRANS DIGITAL BJT NPN/PNP 12V 10
Descrizione Dettagliata:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN - Pre-Biased, 1 PNP 50V, 12V 100mA, 500mA 250MHz, 260MHz 150mW Surface Mount EMT6
Inventario:
13003676
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EMF4T2R Specifiche Tecniche
Categoria
Bipolare (BJT), Array di Transistori Bipolari, Pre-Biasati
Produttore
ROHM Semiconductor
Imballaggio
-
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo di transistor
1 NPN - Pre-Biased, 1 PNP
Corrente - Collettore (Ic) (Max)
100mA, 500mA
Tensione - Guasto collettore emettitore (max)
50V, 12V
Resistore - Base (R1)
2.2kOhms
Resistenza - Base emettitore (R2)
2.2kOhms
Guadagno di corrente CC (hFE) (min) @ Ic, vce
20 @ 20mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V
Saturazione vce (max) @ ib, ic
300mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA
Corrente - Taglio collettore (max)
500nA, 100nA (ICBO)
Frequenza - Transizione
250MHz, 260MHz
Potenza - Max
150mW
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / Custodia
SOT-563, SOT-666
Pacchetto dispositivo fornitore
EMT6
Numero di prodotto di base
EMF4
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
8,000
Altri nomi
846-EMF4T2RTR
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Stato REACH
REACH Unaffected
Certificazione DIGI
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