Numero di Prodotto del Fabbricante:
NSBA114EF3T5G
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
NSBA114EF3T5G-DG
Descrizione:
TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123
Descrizione Dettagliata:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 254 mW Surface Mount SOT-1123
Inventario:
12839710
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NSBA114EF3T5G Specifiche Tecniche
Categoria
Bipolare (BJT), Transistor bipolare pre-biasato singolo
Produttore
onsemi
Imballaggio
-
Serie
-
Stato del prodotto
Last Time Buy
Tipo di transistor
PNP - Pre-Biased
Corrente - Collettore (Ic) (Max)
100 mA
Tensione - Guasto collettore emettitore (max)
50 V
Resistore - Base (R1)
10 kOhms
Resistenza - Base emettitore (R2)
10 kOhms
Guadagno di corrente CC (hFE) (min) @ Ic, vce
35 @ 5mA, 10V
Saturazione vce (max) @ ib, ic
250mV @ 300µA, 10mA
Corrente - Taglio collettore (max)
500nA
Potenza - Max
254 mW
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / Custodia
SOT-1123
Pacchetto dispositivo fornitore
SOT-1123
Numero di prodotto di base
NSBA114
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Scheda Dati HTML
Schede dati
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
8,000
Altri nomi
2832-NSBA114EF3T5GTR
2156-NSBA114EF3T5G-OS
ONSONSNSBA114EF3T5G
2832-NSBA114EF3T5G-488
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificazione DIGI
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