Numero di Prodotto del Fabbricante:
MMUN2113LT3G
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
MMUN2113LT3G-DG
Descrizione:
TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Descrizione Dettagliata:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 246 mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Inventario:
18720 Pz Nuovo Originale Disponibile
12839743
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MMUN2113LT3G Specifiche Tecniche
Categoria
Bipolare (BJT), Transistor bipolare pre-biasato singolo
Produttore
onsemi
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo di transistor
PNP - Pre-Biased
Corrente - Collettore (Ic) (Max)
100 mA
Tensione - Guasto collettore emettitore (max)
50 V
Resistore - Base (R1)
47 kOhms
Resistenza - Base emettitore (R2)
47 kOhms
Guadagno di corrente CC (hFE) (min) @ Ic, vce
80 @ 5mA, 10V
Saturazione vce (max) @ ib, ic
250mV @ 300µA, 10mA
Corrente - Taglio collettore (max)
500nA
Potenza - Max
246 mW
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / Custodia
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo fornitore
SOT-23-3 (TO-236)
Numero di prodotto di base
MMUN2113
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Scheda Dati HTML
Schede dati
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
10,000
Altri nomi
ONSONSMMUN2113LT3G
2156-MMUN2113LT3G-OS
MMUN2113LT3G-DG
MMUN2113LT3GOSTR
MMUN2113LT3GOSCT
MMUN2113LT3GOSDKR
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificazione DIGI
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