Numero di Prodotto del Fabbricante:
NDD03N80Z-1G
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
NDD03N80Z-1G-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 800V 2.9A IPAK
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 800 V 2.9A (Tc) 96W (Tc) Through Hole I-Pak
Inventario:
12842417
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NDD03N80Z-1G Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
-
Serie
-
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
800 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
2.9A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.5Ohm @ 1.2A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4.5V @ 50µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
440 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
96W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
I-PAK
Pacchetto / Custodia
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Numero di prodotto di base
NDD03
Scheda dati e documenti
Scheda Dati HTML
Schede dati
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
75
Altri nomi
2156-NDD03N80Z-1G-ON
ONSONSNDD03N80Z-1G
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
3 (168 Hours)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
STD2N80K5
FABBRICANTE
STMicroelectronics
QUANTITÀ DISPONIBILE
6117
NUMERO DI PEZZO
STD2N80K5-DG
PREZZO UNITARIO
0.54
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
NUMERO DI PARTE
FCU3400N80Z
FABBRICANTE
Fairchild Semiconductor
QUANTITÀ DISPONIBILE
1691
NUMERO DI PEZZO
FCU3400N80Z-DG
PREZZO UNITARIO
0.56
TIPO DI SOSTITUZIONE
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Certificazione DIGI
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