Numero di Prodotto del Fabbricante:
FCU3400N80Z
Product Overview
Produttore:
Fairchild Semiconductor
Numero di Parte:
FCU3400N80Z-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 800V 2A I-PAK
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 800 V 2A (Tc) 32W (Tc) Through Hole I-PAK
Inventario:
1691 Pz Nuovo Originale Disponibile
12946477
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FCU3400N80Z Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Imballaggio
Bulk
Serie
SuperFET® II
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
800 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
2A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.4Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4.5V @ 200µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
9.6 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
400 pF @ 100 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
32W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
I-PAK
Pacchetto / Custodia
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
492
Altri nomi
2156-FCU3400N80Z
ONSFSCFCU3400N80Z
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Certificazione DIGI
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