Numero di Prodotto del Fabbricante:
MMUN2212LT1
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
MMUN2212LT1-DG
Descrizione:
TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Descrizione Dettagliata:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 246 mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Inventario:
12841886
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MMUN2212LT1 Specifiche Tecniche
Categoria
Bipolare (BJT), Transistor bipolare pre-biasato singolo
Produttore
onsemi
Imballaggio
-
Serie
-
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo di transistor
NPN - Pre-Biased
Corrente - Collettore (Ic) (Max)
100 mA
Tensione - Guasto collettore emettitore (max)
50 V
Resistore - Base (R1)
22 kOhms
Resistenza - Base emettitore (R2)
22 kOhms
Guadagno di corrente CC (hFE) (min) @ Ic, vce
60 @ 5mA, 10V
Saturazione vce (max) @ ib, ic
250mV @ 300µA, 10mA
Corrente - Taglio collettore (max)
500nA
Potenza - Max
246 mW
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / Custodia
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo fornitore
SOT-23-3 (TO-236)
Numero di prodotto di base
MMUN2212
Scheda dati e documenti
Scheda Dati HTML
Schede dati
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
MMUN2212LT1OSCT
MMUN2212LT1OSTR
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
RoHS non-compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
DTD113EKT146
FABBRICANTE
Rohm Semiconductor
QUANTITÀ DISPONIBILE
2769
NUMERO DI PEZZO
DTD113EKT146-DG
PREZZO UNITARIO
0.08
TIPO DI SOSTITUZIONE
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NUMERO DI PARTE
RN1412TE85LF
FABBRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
QUANTITÀ DISPONIBILE
1850
NUMERO DI PEZZO
RN1412TE85LF-DG
PREZZO UNITARIO
0.05
TIPO DI SOSTITUZIONE
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DTD143EKT146
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QUANTITÀ DISPONIBILE
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NUMERO DI PEZZO
DTD143EKT146-DG
PREZZO UNITARIO
0.11
TIPO DI SOSTITUZIONE
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NUMERO DI PARTE
DTC124TKAT146
FABBRICANTE
Rohm Semiconductor
QUANTITÀ DISPONIBILE
2253
NUMERO DI PEZZO
DTC124TKAT146-DG
PREZZO UNITARIO
0.02
TIPO DI SOSTITUZIONE
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DTC144EKAT146
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Rohm Semiconductor
QUANTITÀ DISPONIBILE
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PREZZO UNITARIO
0.02
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