Numero di Prodotto del Fabbricante:
MUN5112T1G
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
MUN5112T1G-DG
Descrizione:
TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3
Descrizione Dettagliata:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 202 mW Surface Mount SC-70-3 (SOT323)
Inventario:
13240 Pz Nuovo Originale Disponibile
12841930
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MUN5112T1G Specifiche Tecniche
Categoria
Bipolare (BJT), Transistor bipolare pre-biasato singolo
Produttore
onsemi
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo di transistor
PNP - Pre-Biased
Corrente - Collettore (Ic) (Max)
100 mA
Tensione - Guasto collettore emettitore (max)
50 V
Resistore - Base (R1)
22 kOhms
Resistenza - Base emettitore (R2)
22 kOhms
Guadagno di corrente CC (hFE) (min) @ Ic, vce
60 @ 5mA, 10V
Saturazione vce (max) @ ib, ic
250mV @ 300µA, 10mA
Corrente - Taglio collettore (max)
500nA
Potenza - Max
202 mW
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / Custodia
SC-70, SOT-323
Pacchetto dispositivo fornitore
SC-70-3 (SOT323)
Numero di prodotto di base
MUN5112
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Scheda Dati HTML
Schede dati
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
MUN5112T1G-DG
MUN5112T1GOSTR
2832-MUN5112T1G
MUN5112T1GOSDKR
MUN5112T1GOSCT
2156-MUN5112T1G-OS
ONSONSMUN5112T1G
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificazione DIGI
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