Numero di Prodotto del Fabbricante:
MJE5731G
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
MJE5731G-DG
Descrizione:
TRANS PNP 350V 1A TO220
Descrizione Dettagliata:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 350 V 1 A 10MHz 40 W Through Hole TO-220
Inventario:
375 Pz Nuovo Originale Disponibile
12853165
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MJE5731G Specifiche Tecniche
Categoria
Bipolare (BJT), Transistor Bipolari Singoli
Produttore
onsemi
Imballaggio
Tube
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo di transistor
PNP
Corrente - Collettore (Ic) (Max)
1 A
Tensione - Guasto collettore emettitore (max)
350 V
Saturazione vce (max) @ ib, ic
1V @ 200mA, 1A
Corrente - Taglio collettore (max)
1mA
Guadagno di corrente CC (hFE) (min) @ Ic, vce
30 @ 300mA, 10V
Potenza - Max
40 W
Frequenza - Transizione
10MHz
Temperatura
-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto / Custodia
TO-220-3
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-220
Numero di prodotto di base
MJE5731
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
50
Altri nomi
MJE5731G-DG
MJE5731GOS
2832-MJE5731G
ONSMJE5731G
2156-MJE5731G-OS
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
Not Applicable
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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