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Domande Frequenti
Numero di Prodotto del Fabbricante:
MJE181G
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
MJE181G-DG
Descrizione:
TRANS NPN 60V 3A TO126
Descrizione Dettagliata:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 60 V 3 A 50MHz 1.5 W Through Hole TO-126
Inventario:
408 Pz Nuovo Originale Disponibile
12853178
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MJE181G Specifiche Tecniche
Categoria
Bipolare (BJT), Transistor Bipolari Singoli
Produttore
onsemi
Imballaggio
Bulk
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo di transistor
NPN
Corrente - Collettore (Ic) (Max)
3 A
Tensione - Guasto collettore emettitore (max)
60 V
Saturazione vce (max) @ ib, ic
1.7V @ 600mA, 3A
Corrente - Taglio collettore (max)
100nA (ICBO)
Guadagno di corrente CC (hFE) (min) @ Ic, vce
50 @ 100mA, 1V
Potenza - Max
1.5 W
Frequenza - Transizione
50MHz
Temperatura
-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto / Custodia
TO-225AA, TO-126-3
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-126
Numero di prodotto di base
MJE181
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
MJE170, 71, 72, 80, 81, 82
Scheda Dati HTML
MJE181G-DG
Schede dati
MJE181G
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
500
Altri nomi
ONSONSMJE181G
2156-MJE181G-OS
2832-MJE181G
MJE181GOS
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
Not Applicable
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
MJE181STU
FABBRICANTE
Fairchild Semiconductor
QUANTITÀ DISPONIBILE
4017
NUMERO DI PEZZO
MJE181STU-DG
PREZZO UNITARIO
0.20
TIPO DI SOSTITUZIONE
Direct
Certificazione DIGI
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