MJE181G
Numero di Prodotto del Fabbricante:

MJE181G

Product Overview

Produttore:

onsemi

Numero di Parte:

MJE181G-DG

Descrizione:

TRANS NPN 60V 3A TO126
Descrizione Dettagliata:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 60 V 3 A 50MHz 1.5 W Through Hole TO-126

Inventario:

408 Pz Nuovo Originale Disponibile
12853178
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MJE181G Specifiche Tecniche

Categoria
Bipolare (BJT), Transistor Bipolari Singoli
Produttore
onsemi
Imballaggio
Bulk
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo di transistor
NPN
Corrente - Collettore (Ic) (Max)
3 A
Tensione - Guasto collettore emettitore (max)
60 V
Saturazione vce (max) @ ib, ic
1.7V @ 600mA, 3A
Corrente - Taglio collettore (max)
100nA (ICBO)
Guadagno di corrente CC (hFE) (min) @ Ic, vce
50 @ 100mA, 1V
Potenza - Max
1.5 W
Frequenza - Transizione
50MHz
Temperatura
-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto / Custodia
TO-225AA, TO-126-3
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-126
Numero di prodotto di base
MJE181

Scheda dati e documenti

Schede tecniche
Scheda Dati HTML
Schede dati

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
500
Altri nomi
ONSONSMJE181G
2156-MJE181G-OS
2832-MJE181G
MJE181GOS

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
Not Applicable
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075

Modelli Alternativi

NUMERO DI PARTE
MJE181STU
FABBRICANTE
Fairchild Semiconductor
QUANTITÀ DISPONIBILE
4017
NUMERO DI PEZZO
MJE181STU-DG
PREZZO UNITARIO
0.20
TIPO DI SOSTITUZIONE
Direct
Certificazione DIGI
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