Numero di Prodotto del Fabbricante:
FQU1N80TU
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
FQU1N80TU-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 800V 1A IPAK
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 800 V 1A (Tc) 2.5W (Ta), 45W (Tc) Through Hole IPAK
Inventario:
12837942
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
Minimo 1
(*) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA
FQU1N80TU Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
-
Serie
QFET®
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
800 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
1A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
20Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
5V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
7.2 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
195 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
2.5W (Ta), 45W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
IPAK
Pacchetto / Custodia
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Numero di prodotto di base
FQU1N80
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
70
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
Not Applicable
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
Prodotti correlati
FQPF2N80
MOSFET N-CH 800V 1.5A TO220F
AUIRF4905S
MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK
2SK4099LS-1E
MOSFET N-CH 600V 6.9A TO220F-3FS
