FQPF2N80

Numero di Prodotto del Fabbricante:

FQPF2N80

Product Overview

Produttore:

onsemi

Numero di Parte:

FQPF2N80-DG

Descrizione:

MOSFET N-CH 800V 1.5A TO220F

Descrizione Dettagliata:

N-Channel 800 V 1.5A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220F-3

Inventario:

987 Pz Nuovo Originale Disponibile

12837952

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FQPF2N80 Specifiche Tecniche

Categoria

FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET

Produttore

onsemi

Imballaggio

Tube

Serie

-

Stato del prodotto

Active

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione da drain a source (Vdss)

800 V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C

1.5A (Tc)

Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.3Ohm @ 750mA, 10V

vgs(th) (massimo) @ id

5V @ 250µA

Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs

15 nC @ 10 V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds

550 pF @ 25 V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

35W (Tc)

Temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220F-3

Pacchetto / Custodia

TO-220-3 Full Pack

Numero di prodotto di base

FQPF2

Scheda dati e documenti

Schede tecniche

Scheda Dati HTML

Schede dati

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard

1,000

Altri nomi

488-FQPF2N80

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS

ROHS3 Compliant

Livello di sensibilità all'umidità (MSL)

Not Applicable

Stato REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificazione DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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