Numero di Prodotto del Fabbricante:
FQU10N20CTU
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
FQU10N20CTU-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 200V 7.8A IPAK
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 200 V 7.8A (Tc) 50W (Tc) Through Hole IPAK
Inventario:
1315 Pz Nuovo Originale Disponibile
12846244
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FQU10N20CTU Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
Tube
Serie
QFET®
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
200 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
7.8A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
360mOhm @ 3.9A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
26 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
510 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
50W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
IPAK
Pacchetto / Custodia
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Numero di prodotto di base
FQU10N20
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
70
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
Not Applicable
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
FCU360N65S3R0
FABBRICANTE
onsemi
QUANTITÀ DISPONIBILE
1585
NUMERO DI PEZZO
FCU360N65S3R0-DG
PREZZO UNITARIO
0.97
TIPO DI SOSTITUZIONE
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Certificazione DIGI
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