Numero di Prodotto del Fabbricante:
FQD17N08LTM
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
FQD17N08LTM-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 80V 12.9A TO252
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 80 V 12.9A (Tc) 2.5W (Ta), 40W (Tc) Surface Mount DPAK
Inventario:
12846247
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FQD17N08LTM Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
-
Serie
QFET®
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
80 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
12.9A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
100mOhm @ 6.45A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
2V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
11.5 nC @ 5 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
520 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
2.5W (Ta), 40W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
DPAK
Pacchetto / Custodia
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numero di prodotto di base
FQD17N08
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
2,500
Altri nomi
FQD17N08LTMDKR
FQD17N08LTMCT
FQD17N08LTMTR
FQD17N08LTM-DG
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
IRLR3410TRPBF
FABBRICANTE
Infineon Technologies
QUANTITÀ DISPONIBILE
48747
NUMERO DI PEZZO
IRLR3410TRPBF-DG
PREZZO UNITARIO
0.38
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
NUMERO DI PARTE
FDC3512
FABBRICANTE
onsemi
QUANTITÀ DISPONIBILE
0
NUMERO DI PEZZO
FDC3512-DG
PREZZO UNITARIO
0.29
TIPO DI SOSTITUZIONE
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Certificazione DIGI
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