FQPF4N25
Numero di Prodotto del Fabbricante:

FQPF4N25

Product Overview

Produttore:

onsemi

Numero di Parte:

FQPF4N25-DG

Descrizione:

MOSFET N-CH 250V 2.8A TO220F
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 250 V 2.8A (Tc) 32W (Tc) Through Hole TO-220F-3

Inventario:

12836115
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA

FQPF4N25 Specifiche Tecniche

Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
-
Serie
QFET®
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
250 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
2.8A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.75Ohm @ 1.4A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
5V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
5.6 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
200 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
32W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-220F-3
Pacchetto / Custodia
TO-220-3 Full Pack
Numero di prodotto di base
FQPF4

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
50

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modelli Alternativi

NUMERO DI PARTE
RCX051N25
FABBRICANTE
Rohm Semiconductor
QUANTITÀ DISPONIBILE
0
NUMERO DI PEZZO
RCX051N25-DG
PREZZO UNITARIO
0.44
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
Certificazione DIGI
Prodotti correlati
onsemi

2N7000BU_T

MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3

onsemi

BFL4001-1EX

MOSFET N-CH 900V 6.5A TO220-3 FP

onsemi

5LN01C-TB-EX

MOSFET N-CH 50V 100MA 3CP

onsemi

FDP65N06

MOSFET N-CH 60V 65A TO220-3