RCX051N25
Numero di Prodotto del Fabbricante:

RCX051N25

Product Overview

Produttore:

Rohm Semiconductor

Numero di Parte:

RCX051N25-DG

Descrizione:

MOSFET N-CH 250V 5A TO220FM
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 250 V 5A (Tc) 2.23W (Ta), 30W (Tc) Through Hole TO-220FM

Inventario:

RFQ Online
13526059
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RCX051N25 Specifiche Tecniche

Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
ROHM Semiconductor
Imballaggio
Bulk
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
250 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
5A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.36Ohm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
5.5V @ 1mA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
8.5 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
350 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
2.23W (Ta), 30W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-220FM
Pacchetto / Custodia
TO-220-3 Full Pack
Numero di prodotto di base
RCX051

Scheda dati e documenti

Schede tecniche
RCX051N25
Documenti di affidabilità
TO220FM MOS Reliability Test

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
500
Altri nomi
RCX051N25CT-ND
RCX051N25CT

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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