Numero di Prodotto del Fabbricante:
FQPF10N60C_F105
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
FQPF10N60C_F105-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 600V 9.5A TO220F
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 600 V 9.5A (Tc) 50W (Tc) Through Hole TO-220F-3
Inventario:
12850416
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FQPF10N60C_F105 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
-
Serie
QFET®
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
600 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
9.5A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
730mOhm @ 4.75A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
57 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
2040 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
50W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-220F-3
Pacchetto / Custodia
TO-220-3 Full Pack
Numero di prodotto di base
FQPF1
Scheda dati e documenti
Scheda Dati HTML
Schede dati
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
1
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
Not Applicable
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
STF10NM60N
FABBRICANTE
STMicroelectronics
QUANTITÀ DISPONIBILE
553
NUMERO DI PEZZO
STF10NM60N-DG
PREZZO UNITARIO
1.34
TIPO DI SOSTITUZIONE
Direct
Certificazione DIGI
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