Numero di Prodotto del Fabbricante:
FQB2N90TM
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
FQB2N90TM-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 900V 2.2A D2PAK
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 900 V 2.2A (Tc) 3.13W (Ta), 85W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventario:
12850425
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FQB2N90TM Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
-
Serie
QFET®
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
900 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
2.2A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
7.2Ohm @ 1.1A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
5V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
500 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
3.13W (Ta), 85W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-263 (D2PAK)
Pacchetto / Custodia
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numero di prodotto di base
FQB2
Scheda dati e documenti
Scheda Dati HTML
Schede dati
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
800
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
IRF540NSTRLPBF
FABBRICANTE
Infineon Technologies
QUANTITÀ DISPONIBILE
7309
NUMERO DI PEZZO
IRF540NSTRLPBF-DG
PREZZO UNITARIO
0.52
TIPO DI SOSTITUZIONE
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Certificazione DIGI
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