FQB2N90TM
Numero di Prodotto del Fabbricante:

FQB2N90TM

Product Overview

Produttore:

onsemi

Numero di Parte:

FQB2N90TM-DG

Descrizione:

MOSFET N-CH 900V 2.2A D2PAK
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 900 V 2.2A (Tc) 3.13W (Ta), 85W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Inventario:

12850425
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FQB2N90TM Specifiche Tecniche

Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
-
Serie
QFET®
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
900 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
2.2A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
7.2Ohm @ 1.1A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
5V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
500 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
3.13W (Ta), 85W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-263 (D2PAK)
Pacchetto / Custodia
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numero di prodotto di base
FQB2

Scheda dati e documenti

Scheda Dati HTML
Schede dati

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
800

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modelli Alternativi

NUMERO DI PARTE
IRF540NSTRLPBF
FABBRICANTE
Infineon Technologies
QUANTITÀ DISPONIBILE
7309
NUMERO DI PEZZO
IRF540NSTRLPBF-DG
PREZZO UNITARIO
0.52
TIPO DI SOSTITUZIONE
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