FQP3N30

Numero di Prodotto del Fabbricante:

FQP3N30

Product Overview

Produttore:

onsemi

Numero di Parte:

FQP3N30-DG

Descrizione:

MOSFET N-CH 300V 3.2A TO220-3

Descrizione Dettagliata:

N-Channel 300 V 3.2A (Tc) 55W (Tc) Through Hole TO-220-3

Inventario:

RFQ Online

12923421

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FQP3N30 Specifiche Tecniche

Categoria

FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET

Produttore

onsemi

Imballaggio

-

Serie

QFET®

Stato del prodotto

Obsolete

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione da drain a source (Vdss)

300 V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C

3.2A (Tc)

Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.2Ohm @ 1.6A, 10V

vgs(th) (massimo) @ id

5V @ 250µA

Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs

7 nC @ 10 V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds

230 pF @ 25 V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

55W (Tc)

Temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220-3

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

Numero di prodotto di base

FQP3

Scheda dati e documenti

Schede tecniche

Scheda Dati HTML

Schede dati

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard

50

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS

ROHS3 Compliant

Livello di sensibilità all'umidità (MSL)

Not Applicable

Stato REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificazione DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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