Numero di Prodotto del Fabbricante:
JAN2N6798
Product Overview
Produttore:
Microsemi Corporation
Numero di Parte:
JAN2N6798-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 200V 5.5A TO39
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 200 V 5.5A (Tc) 800mW (Ta), 25W (Tc) Through Hole TO-39
Inventario:
12923491
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JAN2N6798 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Microsemi
Imballaggio
-
Serie
Military, MIL-PRF-19500/557
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
200 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
5.5A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
420mOhm @ 5.5A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
42.07 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
800mW (Ta), 25W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-39
Pacchetto / Custodia
TO-205AF Metal Can
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
1
Altri nomi
150-JAN2N6798
JAN2N6798-MIL
JAN2N6798-DG
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
RoHS non-compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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