Numero di Prodotto del Fabbricante:
FQP2N80
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
FQP2N80-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 800V 2.4A TO220-3
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 800 V 2.4A (Tc) 85W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventario:
12839601
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FQP2N80 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
-
Serie
QFET®
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
800 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
2.4A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6.3Ohm @ 1.2A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
5V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
550 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
85W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-220-3
Pacchetto / Custodia
TO-220-3
Numero di prodotto di base
FQP2
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
1,000
Altri nomi
2156-FQP2N80-OS
ONSONSFQP2N80
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
Not Applicable
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
STP3NK80Z
FABBRICANTE
STMicroelectronics
QUANTITÀ DISPONIBILE
993
NUMERO DI PEZZO
STP3NK80Z-DG
PREZZO UNITARIO
0.70
TIPO DI SOSTITUZIONE
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Certificazione DIGI
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